Samsung、業界初の 1Gb モバイル DRAM を開発

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Samsung Electronics は27日、業界初のモバイル機器向け1ギガビット (Gb) DRAM を、80ナノメートル製造プロセスを用いて開発したと発表した。

現在、デジタルカメラや携帯型メディアプレーヤ、携帯ゲーム機、高機能携帯電話などでは、チップ2枚を使って1Gb を実現しているが、新型モバイル DRAM はそれよりも高いコスト効率を約束するものだ。

Samsung によると、低消費電力 DDR または SDRAM とも呼ばれる1Gb モバイル DRAM の利点は、2枚のチップを使った DRAM に比べ、待機電流を30％抑えられることだという。

新型モバイル DRAM では、512メガビット (Mb) チップ2枚を使った1Gb DRAM と同じパッケージング技術を採用しているが、新たな温度感知機能の搭載により、スタンバイ時の消費電力を従来のメモリに比べて30％低減する。

さらに、1Gb モバイル DRAM は、512Mb チップを複数使ったパッケージに比べて少なくとも20％薄型になっており、高密度実装の単一パッケージによる1.5Gb あるいは2Gb のモバイル DRAM メモリが実現可能だという。同社はそうしたメモリへの需要が高まっていると見ている。また、一部の設計においては、フラッシュメモリと組み合わせたパッケージも可能だ。

1Gb モバイル DRAM は、2007年第2四半期に量産を開始する計画だと Samsung は述べている。

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