Intel、65nm プロセスでフル機能 SRAM チップを開発

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Intel (NASDAQ:INTC) は30日、ナノテクノロジーの最新技術を用いて、5億個以上のトランジスタを集積した新型半導体を開発したと発表した。

同半導体はフル機能搭載型の70メガビット SRAM (static random access memory) プロセッサで、65ナノメートル (nm) 製造プロセス技術を用いて開発したという (1ナノメートルは、10億分の1メートル)。製造は2005年に開始の予定だ。同社は今後、65nm 技術を本格導入していく計画で、10億個以上のトランジスタを単一のプロセッサに集積したデュアルコアプロセッサ設計にも、この技術を採用するという。

Intel によれば、トランジスタ数の増大とプロセッサの小型化により、通常は周辺チップセットやソフトウェア アプリケーションに搭載する仮想化やセキュリティなどの機能を、単一プロセッサ上で実現することも可能だという。

Intel が今後、業界の急成長分野である90nm 以下のプロセッサへ急速に移行していくことはまちがいない。同社は現在、90nm プロセス技術に基づいた『Prescott』コアの『Pentium 4』を出荷しているが、65nm プロセッサには、第2世代のストレインドシリコン技術を導入している。この技術により、リーク電流を増やさずにトランジスタ性能を10〜15％向上させることが可能だ。

90nm 後の展望として Intel は、2005年までに65nm プロセッサを市場投入し、2007年までには45nm、2009年中には32nm の各プロセッサをリリースするとの暫定的ロードマップを打ち出している。90nm 以下のプロセッサに熱意を燃やしているのは、Intel だけではない。IBM (NYSE:IBM) や Texas Instruments (NYSE:TXN) も、65nm プロセッサに関するプランを発表している。