Intel、イスラエルで45ナノプロセス半導体製造施設の新設へ

半導体大手の Intel (NASDAQ:INTC) は1日、35億ドルの巨費を投じてイスラエルに大規模な半導体製造施設を新設する計画を発表した。同社は、エルサレムから約56km 離れたキルヤットガット (Kiryat Gat) にある製造拠点において、同社にとって7つ目となる300ミリウエハ製造施設「Fab 28」の建設を、ただちに開始する。「Fab 28」は、最新の45ナノメートル (nm) 半導体製造プロセス技術を用いた、先進的なマイクロプロセッサ製造を目的とする施設で、2008年後半に操業開始の見通しだ。

イスラエル政府は Intel に対し、約5億2500万ドルの資金援助を行なう。同社広報担当の Chuck Molloy 氏によると、この援助資金のうち大部分は今回の新規製造施設に対するもので、一部については、現地で稼動している90ナノプロセスのフラッシュメモリ製造施設「Fab 18」の更新に充てるという。

同社は今年7月にも、30億ドルの資金を投じて、米国アリゾナ州チャンドラに新たな300ミリウエハ製造施設「Fab 32」を建設すると発表していた。

Intel はすでに5つの300ミリウエハ製造施設を操業中で、製造能力は従来世代の200ミリウエハ製造施設8棟分に相当するという。これらの施設は、米国のオレゴン/アリゾナ/ニューメキシコの各州と、アイルランドにある。また、2006年第1四半期にはアイルランドの拡張施設 (Fab 24-2) の操業開始も予定している。

イスラエルに新設する「Fab 28」は、広さが約1万8600平方メートルのクリーンルームを備え、今後数年で2000人以上の雇用機会を創出する見通しという。

Intel の社長兼 CEO (最高経営責任者) Paul Otellini 氏は、声明の中で次のように述べた。「当社は、先進の半導体製造における優位性を拡大することに、最大の努力を払っている。当社の製造施設網は、比類のない目的と規模を持つ戦略的資産であり、顧客に対して最先端の製品を大量に提供する能力の源だ」