東芝、四日市工場に NAND 型フラッシュメモリ製造棟を建設

この記事のURLhttp://japan.internet.com/finanews/20040414/4.html

株式会社東芝は2004年4月13日、 半導体メモリ生産拠点の四日市工場で、 生産効率の高い300ミリウェハーに対応した新製造棟の建設を開始した。

製造装置を含む新製造棟にかかる投資総額は、 2006年までの4年間で約2,700億円が見込まれるが、 市況を見極めながら段階的に投資を実施していくとのこと。

製造装置については、 東芝と米国 SanDisk が共同で投資する。

新製造棟では、 SanDisk と共同開発した 90nm プロセス技術による NAND 型フラッシュメモリを、 2005年度下期から月産1万枚規模で量産する。 フル稼働時には月産3万7,500枚生産する計画で、 生産されたウエハーは両社で均分する予定。

製造は、東芝と SanDisk の合弁会社であるフラッシュメモリ製造会社、 フラッシュビジョン社で行う予定だが、 詳細は6月を目途に決定する予定。

NAND 型フラッシュメモリは、 デジタルカメラやカメラ付き携帯電話の普及と、 各種メモリカードや MP3 プレーヤー、 USB メモリなどの需要拡大で、 2005年には約6,800億円の市場規模を形成する、 と東芝では見ており、 新製造棟にかかる投資総額の計画を約700億円増額した。