Intel、最大容量が 512M の携帯向けフラッシュメモリを発表

Intel は、2003年4月9日〜11日に開催した開発者向け会議「インテル デベロッパ・フォーラム（IDF）Japan Spring 2003」で、インテル 超薄型スタックド チップスケール パッケージング（超薄型スタックド CSP）による携帯電話向けの新しいフラッシュメモリ製品を発表した。

従来スタックドパッケージを採用した製品は、顧客の仕様に合わせて設計・製造されてきたが、今回より多くの製品をより早く市場に提供するための、スタックド パッケージ製品を標準品化し大量生産するアプローチを発表した。

新しいフラッシュメモリ製品は1.8V Intel StrataFlash ワイヤレスメモリを搭載しており、また厚さ 1mm のパッケージに最大5枚のチップを積層することができる。機能携帯電話機器メーカーが、比較的薄型の端末にカメラ機能やゲーム、電子メールなどの機能を容易に組み込めるように設計されている。

さらに、16 ビットのバス幅を備えた SRAM および PSRAM を積層することができ、32 ビットのバス幅を備えた Low Power SDRAM をオプションで追加することが可能。フラッシュメモリ容量が合計で最大 512M となる製品を2003年内に、また合計 1G となる製品を2004年に提供する予定。

同製品は現在サンプル出荷中で、2003年末までに量産出荷する予定でいる。量産時価格は、フラッシュメモリと RAM の組み合わせにより異なる。

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