東芝と SanDisk、NAND 型フラッシュメモリ新技術を開発

株式会社東芝と米国 SanDisk Corporation は2003年6月11日、NAND 型フラッシュメモリに適用する90ナノメートルのプロセスを用いたメモリセルの新技術を共同で開発した、と発表した。

NAND 型フラッシュメモリは大容量のデータ保存などに適したメモリチップで、 現在、メモリカードやデジタル携帯機器の内蔵メモリなどに採用されている。

従来技術では、電子を蓄積する浮遊ゲートや素子間の分離構造など、 メモリセルの部分ごとで最適な加工形状が異なり、 微細化が進むにつれパターンの合わせズレの影響が出て、 110ナノメートルプロセス以降は加工の限界を超えると言われていた。 また、 素子間を絶縁する仕切り幅が狭いスリット状部分ではきちんと絶縁構造を作れない、 などの問題があった。

新技術では、 90ナノメートルプロセスによる微細加工で加工形状の見直し、 製造プロセスの改善を行い、 加工寸法のバラつきをなくし、 加工時にパターンの合わせズレがない「完全自己整合型」のメモリセルを実現した。 また素子の構成領域を同じ幅で作るため、 素子間の仕切り幅も一定にでき、 90ナノメートルプロセス以降の微細化にも対応できる。

さらに、世界最小の 0.041マイクロ平方メートルのセルサイズも実現した。

両社は2004年1月〜3月の第1四半期に、 新技術による 2Gbit の NAND 型フラッシュメモリを製品化する予定。 また、多値技術で容量が2倍の 4Gbit 製品も製品化する予定。 製造は両社合弁会社のフラッシュビジョン社で行う。

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