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| Webテクノロジー | 2004年1月26日 00:00 |
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富士通、米 MoSys と大容量組み込みメモリ技術でライセンス契約 著者: japan.internet.com 編集部 ▼2004年1月26日 00:00 付の記事 □国内internet.com発の記事 富士通株式会社は2004年1月26日、 米国 MoSys と、 MoSys の大容量組込みメモリ技術「1T-SRAM-Q」を利用した組込みメモリを、 富士通の 0.13 μm ロジックプロセスで設計・製造する、 テクノロジライセンス契約を締結した、と発表した。 富士通は 1T-SRAM-Q を利用し、 デジタルカメラやデジタルビデオカメラなどのコンシューマ製品向け LSI に、 大容量組込みメモリのソリューションを展開していく。 富士通は現在の0.13μm ロジックプロセスだけでなく、 次世代のロジックプロセスでも MoSys との協力関係を継続する予定。 1T-SRAM-Q はエンベデッドメモリ ソリューションのひとつで、 0.13μm で 汎用6トランジスタ SRAM の約4分の1のビットセルサイズ。 標準ロジックプロセスを用い、 クリティカルでない1枚のマスクを追加するだけで、 大容量メモリをシステムオンチップに搭載できる。 Mosys は1991年に設立された半導体メモリ技術の開発会社。 |
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