Intel、アリゾナに 45nm プロセス対応施設を建設へ

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Intel (NASDAQ:INTC) は25日、その潤沢な資金力を活かし、30億ドルを投じてアリゾナ州チャンドラに新たな半導体製造施設 Fab 32 を建設すると発表した。

Fab 32 は300ミリウエハ製造施設で、2007年下半期に生産を開始する見通しだ。Intel の300ミリウエハ製造施設としては6つ目となる。新施設では、次世代コンピューティング プラットフォームに対応すべく、最新の45ナノメートル (nm) 半導体製造プロセス技術を用いたマイクロプロセッサ製造を行なう。

現在、大半のプロセッサは 90nm プロセスを使って製造されており、年内には 65nm プロセッサが生産開始となる見込みだ。米国拠点の新製造施設に数十億ドルを投入するという Intel の決断は、米国の多くの業界が製造業務を国外拠点へ移したり国外へ委託する傾向にあるなか、その対極を行くものだ。

「45nm は、世界で最も複雑な製造技術だ」と、Intel の Technology and Manufacturing Group 副社長、Bob Baker 氏は語った。同氏によると、Intel はすでにチャンドラに半導体製造施設を所有しており、それが今回の Fab 32 建設を同地に決定した一因となったという。すでに同地にいる従業員の専門知識を投入できるからだ。同社は目下、年内に完成予定の別の300ミリウエハ製造施設をチャンドラに建設している。

Intel については、イスラエル南部に40億ドル規模の製造施設を新設するという報道も週末に流れたが、この件に関して同社は正式な発表をしていない。報道によると、イスラエルの Ariel Sharon 首相が24日、Intel が同国に製造施設を建設予定だと、閣議で述べたという。「イスラエルの件は、現時点で何も決定していない」と、Baker 氏は Fab 32 建設発表の電話会見で述べた。