NECエレクトロニクスの DRAM 混載 LSI が「Wii」に搭載

NECエレクトロニクスは、2006年5月10日、同社の DRAM 混載 LSI が任天堂の次世代ゲーム機「Wii」に採用されることを発表した。

今般採用が決まった DRAM 混載 LSI は、「Wii」の高度なグラフィックスを提供するシステム LSI で、NEC山形の300ミリ生産ラインで製造されるという。

DRAM 混載システム LSI は、データを格納するメモリ（DRAM）回路とデータを処理させるロジック回路が同一チップ上に形成されるため、データを高速で処理させることが必要なシステムを構築するには最適なシステム LSI といわれている。

DRAM 混載のシステム LSI を実現するためには、ロジックのプロセスに三次元構造の DRAM プロセスを融合することが必要となる。NECエレクトロニクスでは、標準のロジックプロセス構造にスタック型のキャパシタを形成することにより DRAM 混載のシステム LSI を実現している。

標準ロジックプロセス構造の上にスタック型のキャパシタを形成するには、2つの容量電極間に高誘電率素材を挟む技術、および小面積で多くの電荷を保持した上で電気の漏れに負けないチャージを維持できるキャパシタを形成する技術の確立が不可欠。

DRAM 部のメモリセルの電極にメタルを用いたメタルインシュレータメタル（MIM）構造を採用し抵抗値の低減を図ることによりデータの処理スピードを向上。

DRAM 部トランジスタのゲート、ソース、ドレイン上部にもコバルトシリサイドを用いることによりトランジスタの駆動能力も向上させている。

容量膜の材料にジルコニウムオキサイトを採用したことで、単位面積当たりの容量を増大している。

これらの技術開発により、90ナノ世代の DRAM 混載のシステム LSI の実用化に成功したという。