Freescale、歪 SOI 基板を利用した CMOS 技術を発表

Freescale は、2006年6月12日、歪 SOI（絶縁体シリコン）基板を利用した CMOS 技術を発表した。これは、次世代の半導体デバイスの性能を高め、消費電力を抑える可能性を持つ開発とされる。

新しいハイブリッド歪み技術によって実現した新技術は、歪みシリコンのキャリア可動性を高めることで、SOI 性能を向上させる。

この技術を応用したトランジスタは、従来の技術と比較して30％以上性能を向上できるとされる。また、同じ性能レベルであれば、動作時消費電力を40％以上も削減できるという。

Freescale は 45nm を切るノードで、この技術の評価を行っている。この歪 SOI を応用して開発される最初のアプリケーションとしては、高機能ネットワーク機器やゲームコンソールといった、消費電力にセンシティブな高性能製品が考えられる。

この技術によって、サイズを劇的に縮小し、性能を大幅に高めたエンターテイメント機器や高機能なポータブル機器の開発が可能になるはずだ。

Freescale の CMOS 互換ハイブリッド歪 SOI 技術は、2軸歪みと1軸歪みを選択的に組み合わせた手法。このハイブリッド歪みアプローチにより、nFET 1軸歪みを基板で増幅しつつ、従来の1軸歪みシリコンのレベルを超えて pFET を改善できる。この技術によって、45nm を切る CMOS 製造が可能になる。

この技術は、強力な SOI 基板レベル歪みに、プロセス誘因ストレッサを統合することで、駆動性能を最大36％向上させると同時に、ゲートリークを最大30％抑える。

このワット当たりの性能を高めた歪 SOI 技術により、低消費電力重視アプリケーションにおいて、動作時/スタンバイ時消費電力削減技術の実装に自由度をあたえることが可能となる。