シリコンベースのチップを500GHz 以上で駆動、IBM が実験に成功

IBM (NYSE:IBM) とジョージア工科大学 (GIT) は20日、同大学極低温実験室でシリコンベースのチップを、同種チップとしては世界最速となる500GHz 以上で駆動させる実験に成功したと発表した。ただしこれは、チップを華氏-451度 (絶対温度4.5度) という超低温に冷却して得られた結果だ。

IBM の研究員 David Ahlgren 氏は、取材に応え、「絶対温度4.5度がトランジスタを動作させるのに現実的な温度でないことは承知している」と述べた。

絶対温度4.5度は、絶対0度にきわめて近い超低温であり、現実の世界からは遠い。

ただし、実験の目的はチップ速度の限界を検証することにあった、と Ahlgren 氏は説明した。

同氏によると、IBM は実際、将来のシリコンゲルマニウム (SiGe) チップが500GHz より2倍も高速で動作しうる可能性を示すシミュレーションも実施ずみだという。

高速動作する半導体としては、シリコン系以外にもガリウム砒素を用いたものなどがある。

近い将来のこととして、Ahlgren 氏は、現行の試験用プロセッサが室温で350GHz の動作速度を達成できる、と説明した。SiGe が普及しているデジタル通信市場では現在、携帯電話のチップが一般的に2GHz でしか動作していないことを考えると、大幅な高速化だ。

市場調査会社 Sageza Group のアナリスト Clay Ryder 氏は、今回の実験結果が秘める可能性に感心したとして、次のように述べた。

「IBM と GIT が現行技術を用いて実験室で達成した衝撃的な偉業は、多くの可能性を示している。省エネへの関心が高まりつつある中、きわめて重要な開発成果となる可能性がある」

超高速 SiGe チップの実用的用途としては、「車両用レーダー」、60GHz の無線 LAN、およびブロードバンド分野などがある。

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