フリースケール、工業、医療アプリケーション用 RF パワーデバイスを発表

フリースケール・セミコンダクタ・ジャパンは、2006年6月22日、新たに開発した高電圧 RF LDMOS パワーデバイス技術と、オーバモールドプラスチックパッケージ技術を組み合わせた新製品を発表した。

今回の製品ラインの拡充は、Freescale の 28V LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor：横方向拡散金属酸化半導体）技術の 50V 版である 50V VHV6（超高電圧第6世代）RF LDMOS 技術によって実現している。

LDMOS 技術の供給電圧を 50V まで高めることにより、パワーレベルを高め、ISM 市場で一般的な性能レベルを達成できる。また、オーバモールドプラスチックパッケージ技術でデバイスを供給することにより、コストパフォーマンスに優れた ISM ソリューションを実現できる。

300W の 50V LDMOS トランジスタ MRF6V2300NB は、Freescale の ISM 製品のフラッグシップで、最大 450MHz の動作周波数を実現、TO-272-WB-4 オーバモールドプラスチックパッケージ技術で製造される。

このデバイスは、68％という効率で 27dB のゲインを達成している。この性能により、ISM システム設計者はゲインブロックの縮小によるシステム全体のコストとボード面積を削減できる。また、10:1という VSWR（電圧定在波比）で、高い安定性と信頼性を実現している。

Freescale は、HF/VHF 市場と 2.45GHz ISM 帯域の2つの ISM 周波数市場に進出する。

10〜450MHz の HF/VHF 周波数域には、VHV6 50V LDMOS 技術を応用した3種類のトランジスタ、上記の「MRF6V2300NB」、「MRF6V2150NB（150W、効率69％、25dB ゲイン）、「MRF6V2010NB（10W、効率68％、25dB ゲイン）」を提供する。

2.45GHz ISM 帯域には、28V LDMOS 技術を応用した3種類のトランジスタ、「MRF6P24190H（190W、効率46％、13dB ゲイン）」、「MRF6S24140H（140W、効率45％、13dB ゲイン）」「MW6IC2420NB（2ステージIC 20W、効率21％、21dB ゲイン）」を提供する。

6種類の ISM デバイスは、すべてサンプル供給が開始されている。2.45GHz の3製品は、すでに量産が開始されている。MRF6V2150NB の量産開始は2006年8月、MRF6V2300NB および MRF6V2010NB の量産開始は2006年の第4四半期に予定されている。