Samsung、フラッシュメモリ関連技術を立て続けに発表

Samsung Electronics は11日、40ナノメートル (nm) 製造プロセスによる32ギガビット (Gb) NAND 型フラッシュメモリをはじめ、NOR 型フラッシュメモリに代わる新メモリ技術や、同社のハイブリッド型ハードディスク ドライブ (HDD) 用 SoC コントローラを発表した。

まず32Gb の新 NAND 型フラッシュメモリだが、『Charge Trap Flash』(CTF) アーキテクチャを採用し、セル間のノイズを減少させることで信頼性が向上していることが特徴だ。その結果、高密度化が可能となり、同社はこの点が競争上の優位性になると期待している。

発表によれば、新32Gb NAND 型フラッシュメモリは、最大容量64ギガバイトのメモリカード製品として利用可能という。64ギガバイトのメモリカードには、映画なら40本以上、MP3 形式の音楽ファイルなら1万6000曲以上を格納できると、同社は説明した。

同社は、CTF ベースの NAND 型フラッシュメモリについて、今後20nm 製造プロセスによる256Gb 製品まで見込んでいる。

また Samsung は同日、高密度 NOR 型フラッシュメモリに代わる技術として、PRAM デバイス初の動作プロトタイプ (容量512Mb) を完成したと発表した。

PRAM とは、フラッシュメモリの不揮発性と、RAM の高速読み書き能力を組み合わせたものだ。PRAM は格納したデータを消すことなく上書きできるため、従来のフラッシュメモリに比べて30倍の高速性を実現する。

Samsung は、今後こうした高速性が、多機能携帯電話などのモバイル製品において人気を得ると語った。モバイル機器では、メモリデバイスの高速性が機器の性能に直結するためだ。Samsung は、2008年に PRAM 製品を市場投入する。

そして最後は、ハイブリッド型 HDD 用 SoC コントローラだ。同コントローラは、最大4Gb までのフラッシュメモリに対応し、これをデータバッファとして用いる。その結果、ディスクの回転を止めることができる時間が長くなり、通常の HDD に比べて消費電力を最大80％削減できるという。このハイブリッド型 HDD は、同社メモリデバイス部門、システム LSI 部門、ストレージ部門共同の取り組みだ。新コントローラの量産は、11月に始まる予定となっている。

Twitter	iPhoneアプリ / iPadアプリ		Androidアプリ
Facebook	RSS	ニュースメール