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| Webテクノロジー | 2006年9月25日 09:00 |
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DRAM 価格の不正操作で、また1人 Samsung 幹部に実刑 著者: Clint Boulton オリジナル版を読む ▼2006年9月25日 09:00 付の記事 ■海外internet.com発の記事 米司法省は21日、DRAM の価格を巡る国際的な談合事件に関して、Samsung Semiconductor の幹部が有罪を認め、米国の刑務所に服役することに同意したと発表した。 有罪を認めたのは、カリフォルニア州サンノゼ在住の Thomas Quinn 被告だ。同被告は8か月の服役と25万ドルの罰金刑のほか、現在進行中の司法省による捜査に対して協力することにも同意した。 問題の談合事件は、半導体メーカーの Samsung、Hynix Semiconductor、Infineon Technologies、エルピーダメモリが DRAM 価格を不正に操作し、コンピュータメーカーの Dell (NASDAQ:DELL)、Hewlett-Packard (NYSE:HPQ)、Compaq (当時)、IBM (NYSE:IBM)、Apple Computer (NASDAQ:AAPL)、Gateway (NYSE:GTW)、Sun Microsystems (NASDAQ:SUNW) の事業に影響を与えたというものだ。 米司法省の声明によると、Quinn 被告は韓国 Samsung Electronics の米国子会社 Samsung Semiconductor のメモリ製品マーケティング担当副社長として、この事件に関与したという。 同被告は、競合会社との会合に参加して DRAM 価格を設定し、Sun が開いた DRAM の競争入札において入札価格を操作したとして、このような談合行為を禁止するシャーマン反トラスト法違反の罪に問われた。 Samsung の幹部で、DRAM 価格談合に関与した罪に問われたのは、Quinn 被告で4人目だ。3月には Sun Woo Lee 被告、Young Woo Lee 被告、Yeongho Kang 被告が有罪を認め、それぞれ7か月から8か月の服役刑と、25万ドルの罰金刑に同意している。 |
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