東芝と米 IBM、32nm 世代の CMOS プロセス技術を共同開発へ

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東芝と米 IBM は18日、32nm 世代のバルク CMOS プロセス技術を共同開発することで合意したと発表した。今後、両社は、32nm 世代の高性能・低消費電力チップの実現に向けた技術開発を加速していく。

両社は、2005年12月から、米国ニューヨーク州ヨークタウンやアルバニーにある研究施設で、32nm 以降の半導体プロセス技術に関する基礎研究を共同で進めていた。

今回の合意により、これまでの基礎研究の成果をもとに、共同開発対象を32nm 世代のバルク CMOS プロセス技術まで広げる。東芝は、現在 IBM とそのパートナー企業の合わせて6社が米国ニューヨーク州イースト フィッシュキルで行っている、32nm バルク CMOS プロセス技術の共同開発のアライアンスに加わることになる。

東芝の執行役上席常務でセミコンダクター社長の齋藤昇三氏は次のように語る。

「東芝は、IBM との共同基礎研究に続いて、世界の主要なシステム LSI メーカーが行う共同開発の一員として、32nm バルク CMOS プロセスの開発を推進していく。同時に、東芝は、東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンター（横浜市）で行う32nm 世代の量産化に向けたプロセス開発を加速していき、最先端デバイスの早期量産化を目指す」